1、2.1 概述,2.2 TTL 门电路,2.3 CMOS 门电路,上页,下页,第2章,第二章 集成门电路,返回,2.4 各种集成逻辑们的性 能比较,门电路是实现一定逻辑关系的电路，是组成数字电路的基本单元，本节重点介绍集成门电路的逻辑功能及外部特性。,上页,下页,第2章,返回,2.1 概述,翻页,复习基本门电路,上页,下页,第2章,返回,翻页,2.2 TTL门电路,多发射极晶体管 T1 的等效电路,第2章,上页,下页,1.TTL与非门电路,返回,翻页,工作原理,设：A=0 B=1 C=1,则：VA=0.3V VB1=0.3+0.7=1V,VB2=0.3V,所以：T2、T5 截止,T3、T4 导通
2、,结果：VF=5UBE3UBE4 50.70.7=3.6V,拉电流,第2章,上页,下页,返回,翻页,F=1,设：A=B=C=1,即：VA=VB=VC=3.6V,VF=0.3V，F=0,VF=0.3V,2.1V,VB3=UCE2+UBE5=0.3+0.7=1V,1V,T3 导通，T4 截止,灌电流,上页,下页,则：T2 T5 饱和,第2章,返回,DA、DB、DC 截 止！,T1集电结正偏,翻页,4.3V,结论：1.输入不全为1时，输出为1 2.输入全为1时，输出为0,符合与非门的逻辑关系,与非门逻辑状态表,逻辑符号,第2章,上页,下页,返回,翻页,+5V,R1,R2,R3,R4,R5,B1,B3
3、,T1,T2,T3,T4,T5,F,A,B,EN,P,2.TTL三态与非门,D,F：第三状态 高阻,上页,下页,1V,1V,T2、T5截止,第2章,返回,翻页,VB1=1V,VB3=1V,二极管D导通,1,T3 导通，T4 截止,0.3V,三态输出“与非”门符号,三态门接于总线，可实现数据或信号的轮流传送,上页,下页,第2章,返回,翻页,TTL门电路由晶体管组成，属双极型门电路，MOS 门电路由场效应管组成，属单极型门电路，MOS 门电路是目前大规模和超大规模数字集成电路中应用最广泛的一种。,第2章,上页,下页,MOS 门电路分类,2.3 CMOS 门电路,返回,翻页,CMOS 门电路是一种互
4、补对称场效应管集成电路。,P沟道,N沟道,互补对称结构,设：A=0,则：T2 导通 T1 截止,0,F=1,1,设：A=1,则：T1 导通 T2 截止,F=0,1.CMOS 反相器,第2章,上页,下页,该电路具有反相器的功能。,返回,翻页,1,0,2.CMOS“与非”门电路,P 沟道负载管并联,N 沟道 驱动管 串联,设：A=1，B=1,则：T1 T2 导通 T3 T4 截止,F=0,0,设：A=0，B=1（不全为 1）,则：T2 T3 导通 T1 T4 截止,F=1,负载管和驱动管串联,第2章,上页,1,1,下页,返回,翻页,0,1,1,3.CMOS“或非”门电路,P 沟道负载管串联,N 沟道驱动管并联,设：A=0，B=0,0,0,则：T3 T4 导通 T1 T2 截止,驱动管与负载管串联,F=1,设：A=0，B=1（输入不全为零时）,则：T2 T3 导通 T1 T4截止,F=0,第2章,上页,下页,返回,翻页,1,0,注意：上述分析表明，MOS“与非”门的输入端越多，串联的驱动管越多，导通时的总电阻就愈大，输出低电平值将会因输入端的增多而提高，对于MOS“或非”门因驱动管并联，不存在这个问题，因此，MOS门电路中“或非”门用的较多。,第2章,上页,返回,下页,本节结束,
